这种职称可不是小侯实验室自己颁发的职称而是国家审核过关国家颁发的。
全国范围内的科研单位都会承认这个职称的。
其含金量是相当高的。
有很多公司的科研部门里充斥着大把的研究员但这些研究员都是公司自己任命的不被国家承认出了公司的门去其它单位就是普通人了。
这一天小侯实验室里的气氛都很热烈。
赵小侯甚至于还让公司人事部将几个杂工正式入职。
这几个本科生杂工已经毕业之前考研成功之后赵小侯就给他们引荐了李清源教授和王兵教授使得他们得以拜入两位教授门下就读硕士。
也就成为了赵小侯的师弟师妹。
当然该跟着两位教授学的东西他们自己去学平时没事的时候还是得来实验室下苦力。
毕竟工资不是白拿的。
最关键的是在小侯实验室内他们拥有更多的实验实践机会。
现在的小侯实验室已经将老实验楼的第二层第三层全部占据了。
赵小侯还寻思着是不是再找几个本科生来打杂。
毕竟以实验室现在的规模人员还是太少了点。
不过这180纳米工艺制程的锗碳芯片暂时是不会纳入到锗碳芯片公司的生产范围。
现在锗碳芯片公司在锗碳芯片产业园区里修建的厂房、生产链等等都是为250纳米工艺制程锗碳芯片的生产服务的。
这里面主要的原因就是为了试水。
250纳米工艺制程的锗碳芯片性能相当于14纳米硅芯片。
之前就说过这个工艺制程的硅芯片算是中高端芯片的巅峰。
其广泛应用于诸多电子产业领域。
至于低于250纳米工艺制程的锗碳芯片拿来生产就没有什么必要了。
因而14纳米硅芯片之下的28纳米32纳米等等硅芯片大夏国内已经拥有一定的生产力。
如果还生产这些性能的锗碳芯片那么之前这些28纳米、32纳米等等的硅芯片产业链就等于刚投资就报废了。
这样会产生巨大的浪费。
不管从资金上考虑还是从生产资源上考虑都会损失很大。
最关键的就是由此会带来不小的经济、社会动荡实为不智。
因而生产250纳米工艺制程的锗碳芯片用来取代大夏尚且无法自产的14纳米工艺制程硅芯片才是最合理的解决方案。
至于180纳米锗碳芯片现在研制出来了但估计也要等250纳米锗碳芯片顺利投产之后才会开始其生产链的建设。
毕竟180纳米锗碳芯片近乎于7纳米硅芯片的性能还是稳妥一些有了锗碳芯片生产链建设的经验之后再来比较好。
毕竟这锗碳芯片的生产和硅芯片完全就是两个概念。
在离开实验室之前赵小侯虽说由于时间紧张没有和大家一起出去吃饭庆祝但还是鼓励了一下米来娣等人让他们朝着130纳米工艺进发! 这130纳米工艺的锗碳芯片其晶体管密度是180纳米的3倍每平方毫米足足有60万个晶体管。
其性能等同于5纳米的硅芯片。
有一说一如果米来娣等人将130纳米工艺的锗碳芯片搞出来那么在芯片这一块大夏国就等于拥有了最尖端的芯片自产能力。
虽然说现在一些顶尖的芯片生产厂家叫嚷着要把3纳米工艺研究出来。
但实际上3纳米的硅芯片在短时间内是很难突破的。
这里既有量子隧道效率不断增大带来的电子穿越问题更有晶体管越小越难实现量产的问题。
毕竟硅原子也是有体积大小的。
一个硅原子的直径就有0.25纳米! 而工厂化生产的芯片里一个微型晶体管至少需要50个硅原子构成。
当然有尖端实验室里也研制出过7个硅原子构成的晶体管。
但这个没办法工厂生产的。
简单来说直径3纳米的晶体管即便不去计算原子之间因为排斥力而形成的空间距离一个晶体管的一面也就只能排列10个硅原子。
因而三纳米的晶体管由于晶体管不是正方体从实际角度上来说能够容纳的晶体管大约为70多个。
而微型晶体管的极限就是50个硅原子。
再低于这个量的话量子隧道效应将会大幅提升导致制成的芯片完全无法使用。
由此可见这3纳米芯片的难度会有多大。
就算是进入工厂化生产其废品率也会大到一个让人无法承受的地步其成本会让出厂的芯片贵得要死。
当然也不是说3纳米芯片以后就完全没机会。
如果尖端实验室里的7个硅原子构成的晶体管能够投入工厂化生产那么3纳米芯片的良品率也会随之提升很多甚至于让整个硅芯片产业焕发新春。
但那需要很多时间和资金的投入。
并且就算是如此其性价比要远远低于锗碳芯片。
因而130纳米锗碳芯片搞出来的话就基本上可以判硅芯片产业的死刑了。
忙完了实验室里的事情这边学术报告会也筹备好了。
愿意来的数学家也都来了入住在青花大学旁边的美乐酒店里。
至于学术报告会的时间也定好了明天上午9点在青花大学的大礼堂里举行。
这次过来的数学家和赵小侯之前的判断是相近了。
基本上都是国内的数学家其中几位早就退休安享晚年的老数学家也来了。
并且从刘主任拿来的登记表上可以看出这次还来了几位外国的数学家。
其中最引起赵小侯注意的就是来自于普林斯顿高等研究院的萨尔纳克教授。
他是普林斯顿高等研究院的终身教员致力于分析数论的研究在其他科学领域如物理学和计算机科学也有重要的贡献。
当然萨尔纳克最让人所知的就是解决了数学中一个着名的未解问题即希尔伯特第十一个问题。
这让赵小侯都有些惊异这样一位数学家居然会来参加自己的学术报告会看来他应该是看懂了些东西。
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